主要用途

主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

由于本機有特殊的找平機構,使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光,而且也適用非圓形基片和小型基片的曝光。

工作方式

本機為一次性光刻曝光

主要技術指標

1、配置一件承片臺(承片臺具體尺寸可根據用戶需求制造)

2、曝光頭(采用高均勻性多點光源曝光頭)

*出射光斑≤230mm;350W(高壓直流汞燈)

*光的不均勻性在φ230mm范圍內≤±8%;

*實現真空密著條件下曝光。

*光的強度可通過X、Y、Z進行調節,曝光時間,通過0.1~999.9秒時間繼電器設定;

*汞燈位置調節可通過精密的x、y、z調節裝置調節,調節量為x向±5毫米、y向±5毫米、z向±5毫米;

*具有風扇冷卻裝置。

3、分辨率≥2μm 。

4、具備真空吸片功能。

5、具有真空密著和反吹氣的功能,通過調節密著真空的大小可以實現硬接觸曝光(密著真空≤-0.05 Mpa)、軟接觸曝光(密著真空在-0.05Mpa~-0.02Mpa之間)和微力接觸曝光(密著真空≥-0.02Mpa)。

主要配置

*多點曝光頭:1臺

*曝光類型:一次性曝光

*曝光面積:≥φ110mm

*曝光不均勻性:≤±4%

*曝光面積:≥φ230mm

*曝光不均勻性:≤±8%

*曝光強度:≥15mw

*曝光分辨率:≤2μm

*曝光模式:單面曝光

*基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″φ5″、φ6″、φ7″、φ8″、φ9″

*基片厚度:≤5 mm

*曝光燈功率:350W

*曝光定時:0~999.9秒可調

*電源:單相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

*潔凈壓縮空氣壓力:≥0.4Mpa

*真空度:-0.07Mpa~-0.09Mpa

*尺寸:長700mm×寬650mm×高1200mm;

*重量:~110kg


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